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【アンプの構成】
初段を真空管、出力段をMOSFETで構成します。
出力段にMOSFETを使うことで、出力トランスの制約がなくなります。スピーカーを直接駆動するので、歯切れの良い低音が期待できます。
初段は、真空管でならば、比較的に簡単にMOSFETを駆動できそうです。
出力段のMOSFETは、２SK405-２SJ115にします。手に入りやすく、これまで製作された実績があり、入力容量が低く高域特性が良くなる（悪くならない）ことが期待できます。
初段は、内部抵抗の低い双3極管6922（６DJ８）を使い、ｊFET入力、カスコードSRPP回路として、利得を稼ぎ、低インピーダンス出力が期待できます。
【電源トランス】
出力段の電源トランスは、47V-0-47V 容量、オークションで手に入れたものなので不明ですが、重さが10㎏近くあり、かなりの出力を出せそうです。
整流後±60V以上の電圧が取れます。
初段の電源トランスは、ノグチPMC100M（280V-240V-200V-0-200V-240V-280V
Dc100mA / 6.3V-5V2A / 6.3V-5V2A /
6.3V-5V2A）を200Vで使用します。もう少し低い電圧にしたいですが、所有するトランスで他に適切なものがありません。
【出力段の検討】
基本的なMOSFETの出力段は次のようになります。
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出力段のバイアスは、MOSFETの場合は、およそ3Vから4V程度です。
トランジスタ2SC1845を使い、可変抵抗で調整するようにします。２SC1845とMOSFETは温度結合するので、温度安定度が良いと言われています。
バイアスの値は、
Vb=（（R1+R2）/R2）×Vbe
ということです。
バイアス値＝（（6.8+1.5）÷1.5）×0.59＝3.3V
R2を1ｋ固定抵抗と1ｋ半固定抵抗で構成すれば、バイアス値は、2.6Vから4.6Vくらいまで変化します。
R3（R4）の値＝（Vcc×2－バイアス値）÷（R3とR4に流れる電流）÷2
ということですから、3ｍA程度流すとして
（（60V×2－3.3V）÷3ｍA）÷2＝19.45ｋΩ
となります。（以上、CQ出版「定本 トランジスタ回路の設計」参照）
最大出力は、初段が真空管回路で構成しますから、120Vp-p の振幅は割と楽に出せそうです。
120Vp-p（約43Vrms）とすれば、（43V×43V）÷8Ω＝231Wとなりますが、電源トランスの容量は不明なので、わかりません。ロスもあるので、150Wから200Wの間くらいでしょうか。
最大出力Po=（Vcc×Vcc）÷2RLということなので
（60V×60V）÷（2×8Ω）＝225W
ロスを見ると（56V×56V）÷（2×8Ω）＝196W
最大電流 Imax＝Vcc÷RL
60V÷8Ω＝7.5A *****CQ出版「トランジスタ回路の実用設計」から***** |
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【初段の検討-6922の場合】
初段は、ｊFETを使ったカスコードSRPP回路とします。動作点は、それぞれ次のようになります。
[2SK246動作点]
2SK246ｇｒでIdss4.5ｍA程度のものを選びました。
6922は、μ＝33 Rp＝2.7
RL＝45ｋΩとすると（大体のロードラインを引いてみる）
「私のアンプ設計マニュアル」のHPによれば、上側の球の負荷抵抗値は、
負荷抵抗値（RL） = 上側球のrp + （ 上側球のRk × 上側球のμ
） + 上側球のRk
ということなので、RKは、
Rk = (RL － rp) ÷（μ+1）
となるので、
Rk=（45－2.7）÷（33+1）＝1.24ｋΩ
上側球のRkは、大体、1.2ｋΩ位にします。
【電源回路】
電源回路は、MOSFETリップルフィルター+独自回路U電源という構成です。
独自回路のU電源は、おそらく電源インピーダンスを強力に下げる働きをします。
電源回路を理想電源に近づけることで、増幅回路をシンプルなものにできます。
【放熱器】
放熱器は、千石電商で購入し、高さ30幅138長さ150(mm)の30F138L150をシャーシ上に設置しました。
【回路図】
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