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MOSFETを直接駆動していましたが、次のようにドライバー段を追加しました。
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出力段のバイアスは、ドライバー段トランジスタでベースとエミッタ間電圧分下がりますので、少しバイアス回路で上げてやることにします。
R1を6.8Kから8.2Kに変更します。
バイアスの値は、
Vb=（（R1+R2）/R2）×Vbe
ということです。
バイアス値＝（（8.2+1.5）÷1.5）×0.59＝3.8V
R2を1ｋ固定抵抗と1ｋ半固定抵抗で構成すれば、バイアス値は、3Vから5.4Vくらいまで変化します。
R3（R4）の値＝（Vcc×2−バイアス値）÷（R3とR4に流れる電流）÷2
ということですから、3ｍA程度流すとして(ドライバー段TRのベース電流に流れても十分)
（（60V×2−3.8V）÷3ｍA）÷2＝19.3ｋΩ
となりますので、以前のままで大丈夫です。
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【回路図】
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